GA100JT17-227 - TRANS SJT 1700V 160A SOT227

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TRANS SJT 1700V 160A SOT227
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GA100JT17-227

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GA100JT17-227
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : -
La technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) : 1700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 160A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 100A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 800V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 535W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-227
Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : GA10 , GA100J

Documents pour GA100JT17-227

Feuilles de données : GA100JT17-227.pdf

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