FDU8770 - MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Référence fabricant

FDU8770

Numéro de pièce interne

AX-FDU8770

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDU8770

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDU8770

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3720pF @ 13V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 115W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I-PAK

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDU

Documents pour FDU8770

Feuilles de données : FDU8770.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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