SE20FJ-M3/I - DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SE20FJ-M3/I
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SE20FJ-M3/I
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SE20FJ-M3/I
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.7A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 2A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 920ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : 13pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-219AB
Package d'appareils du fournisseur : DO-219AB (SMF)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SE20FJ-M3/I
Feuilles de données : SE20FJ-M3/I.pdf
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